エルニ-Pd-金装備
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エルニ-Pd-金装備

-ハイエンド IC 基板、先進的な半導体パッケージ、RF デバイス。これらの製品には、ワイヤボンディング能力と良好なはんだ付け性の両方が必要です。
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製品説明

無電解ニッケル-パラジウム-ゴールド機器(JYC-ENEPIG-シリーズ)

ワイヤボンディングとはんだ付け性を組み合わせた設計

 

-ハイエンド IC 基板、先進的な半導体パッケージ、RF デバイス。これらの製品には、ワイヤボンディング能力と良好なはんだ付け性の両方が必要です。当社の無電解ニッケル-パラジウム-ゴールド装置は、ENEPIG 仕上げを生成します。このプロセスは無電解ニッケルから始まります。ニッケルの厚さは3〜6ミクロンです。次に、パラジウム層を堆積します。パラジウムの厚さは0.05~0.2ミクロンです。このパラジウム層は、金とニッケルが脆い金属間化合物を形成するのを防ぎます。最後に、薄い浸漬金層が適用されます。金の厚さは0.03~0.08ミクロンです。この仕上げは IPC-4556 に適合しています。これは、同じパッド上で金ワイヤボンディングとはんだ付けの両方を必要とする製品に特に適しています。

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多層制御のための材料と構造-

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この装置には、ニッケル、パラジウム、金の別々のタンクがあります。各タンクには独自の加熱および濾過システムが備わっています。無電解ニッケルタンクは 82 ~ 88 度で動作します。無電解パラジウムタンクは 55 ~ 65 度で稼働します。浸漬ゴールドタンクは 80 ~ 88 度で動作します。各槽ごとに自動化学分析装置を導入しております。これらは濃度を監視し、リアルタイムで化学物質を補充します。その結果、3 つの層すべてにわたって一貫した堆積が得られます。

3 つの主要な利点

まず、パラジウム層が黒色パッドの欠陥を防ぎます。

従来の ENIG では、ニッケルが金の下で酸化する可能性があります。これにより、パッドが黒くなり、はんだ接合が不良になります。パラジウムバリア層がこれを阻止します。はんだ接合強度がより信頼できます。

 

第二に、ワイヤボンディング性能が優れています。

パラジウム層は、金ワイヤボンディングの安定したベースを提供します。引っ張り強度は10グラムを超えます。債券利回りは一貫して高いです。これは半導体パッケージングにとって重要です。

 

第三に、プロセスウィンドウが広いです。

当社の浴配合は、より広範囲の動作条件に耐えます。これにより、プロセスがより寛容になります。生産のダウンタイムが短縮されます。

 

 

購入者がよく質問すること

 

バイヤーは、「半導体顧客は混合アセンブリ用に信頼性の高いエネピグを必要としています。彼らの要件を満たすことができますか?」と尋ねます。はい。当社は完全なプロセス制御を提供します。各タンクには独立した温度と化学物質の監視機能があります。システムは MES に接続して完全なトレーサビリティを実現します。当社のENEPIG装置はすでに大手IC基板メーカーで採用されています。

 

技術仕様

パラメータ

仕様

ニッケル層の厚さ

3 – 6 µm

パラジウム層の厚さ

0.05 – 0.2 µm

金層の厚さ

0.03 – 0.08 µm

無電解ニッケル温度

82~88度

無電解パラジウムの温度

55~65度

浸漬金温度

80~88度

ワイヤーボンディングの引っ張り強度

10g以上

適用規格

IPC-4556

 

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